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IPT60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
Número da peça
IPT60R050G7XTMA1
Fabricante/Marca
Series
CoolMOS™ G7
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerSFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-HSOF-8
Dissipação de energia (máx.)
245W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 800µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
68nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2670pF @ 400V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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