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IPN95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Número da peça
IPN95R2K0P7ATMA1
Fabricante/Marca
Series
CoolMOS™ P7
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SOT-223-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223
Dissipação de energia (máx.)
7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
950V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 80µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
330pF @ 400V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
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