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IPI60R165CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
Número da peça
IPI60R165CPAKSA1
Fabricante/Marca
Series
CoolMOS™
Status da peça
Not For New Designs
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Dissipação de energia (máx.)
192W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 790µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
52nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2000pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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