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IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A
Número da peça
IPI024N06N3GXKSA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 196µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
275nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
23000pF @ 30V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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