A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
IPD80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Número da peça
IPD80N04S306ATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Not For New Designs
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 52µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
47nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3250pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 1169 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deIPD80N04S306ATMA1
IPD80N04S306ATMA1 Componentes eletrônicos
IPD80N04S306ATMA1 vendas
IPD80N04S306ATMA1 Fornecedor
IPD80N04S306ATMA1 Distribuidor
IPD80N04S306ATMA1 Tabela de dados
IPD80N04S306ATMA1 fotos
Preço IPD80N04S306ATMA1
IPD80N04S306ATMA1 Oferta
IPD80N04S306ATMA1 Preço mais baixo
IPD80N04S306ATMA1 Pesquisa
IPD80N04S306ATMA1 Comprando
Ficha IPD80N04S306ATMA1