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IPD40N03S4L08ATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Número da peça
IPD40N03S4L08ATMA1
Fabricante/Marca
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-11
Dissipação de energia (máx.)
42W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
8.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.2V @ 13µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1520pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±16V
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