IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON
Número da peça
IPC50N04S55R8ATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerTDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8
Dissipação de energia (máx.)
42W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
5.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.4V @ 13µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1090pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
7V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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