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IPB80N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Número da peça
IPB80N03S4L02ATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Dissipação de energia (máx.)
136W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.2V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
140nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9750pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±16V
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