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IPB50CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Número da peça
IPB50CN10NGATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Dissipação de energia (máx.)
44W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1090pF @ 50V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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