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IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Número da peça
IPB200N25N3GATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
D²PAK (TO-263AB)
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
250V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 270µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
86nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7100pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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