IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Número da peça
IPB027N10N3GATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
D²PAK (TO-263AB)
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 275µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
206nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
14800pF @ 50V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 2581 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deIPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1 Componentes eletrônicos
IPB027N10N3GATMA1 vendas
IPB027N10N3GATMA1 Fornecedor
IPB027N10N3GATMA1 Distribuidor
IPB027N10N3GATMA1 Tabela de dados
IPB027N10N3GATMA1 fotos
Preço IPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1 Oferta
IPB027N10N3GATMA1 Preço mais baixo
IPB027N10N3GATMA1 Pesquisa
IPB027N10N3GATMA1 Comprando
Ficha IPB027N10N3GATMA1