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IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Número da peça
IPB011N04LGATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7-3
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
346nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
29000pF @ 20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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