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BSS119E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Número da peça
BSS119E6327
Fabricante/Marca
Series
SIPMOS®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT23-3
Dissipação de energia (máx.)
360mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.3V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
2.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
78pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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