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BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Número da peça
BSG0810NDIATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerTDFN
Potência - Máx.
2.5W
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TISON-8
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
25V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
19A, 39A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1040pF @ 12V
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