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BSB165N15NZ3GXUMA1
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Número da peça
BSB165N15NZ3GXUMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
3-WDSON
Pacote de dispositivos do fornecedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
150V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
9A (Ta), 45A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
16.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 110µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2800pF @ 75V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
8V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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