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GSID100A120T2C1
SILICON IGBT MODULES
Número da peça
GSID100A120T2C1
Fabricante/Marca
Series
Amp+™
Status da peça
Active
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
Module
Potência - Máx.
640W
Configuração
Three Phase Inverter
Pacote de dispositivos do fornecedor
Module
Atual - Coletor (Ic) (Máx.)
200A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
1200V
Atual - Corte do Coletor (Máx.)
1mA
Tipo IGBT
-
Vce(ligado) (Máx.) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce
13.7nF @ 25V
Entrada
Three Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC
Yes
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