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GB01SLT12-252

GB01SLT12-252

DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Número da peça
GB01SLT12-252
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Corrente - Média Retificada (Io)
1A
Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se
1.8V @ 1A
Corrente - Vazamento reverso @ Vr
2µA @ 1200V
Tensão - CC reversa (Vr) (Máx.)
1200V
Velocidade
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)
0ns
Temperatura Operacional - Junção
-55°C ~ 175°C
Capacitância @ Vr, F
69pF @ 1V, 1MHz
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