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GA10SICP12-263
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
Número da peça
GA10SICP12-263
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK (7-Lead)
Dissipação de energia (máx.)
170W (Tc)
Tipo FET
-
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 10A
Vgs(th) (máx.) @ ID
-
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1403pF @ 800V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
-
Vgs (máx.)
-
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