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GA100JT17-227
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Número da peça
GA100JT17-227
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Not For New Designs
Embalagem
Tube
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
SOT-227-4, miniBLOC
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227
Dissipação de energia (máx.)
535W (Tc)
Tipo FET
-
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1700V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 100A
Vgs(th) (máx.) @ ID
-
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
14400pF @ 800V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
-
Vgs (máx.)
-
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