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2N7638-GA
TRANS SJT 650V 8A TO276
Número da peça
2N7638-GA
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Temperatura de operação
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-276AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-276
Dissipação de energia (máx.)
200W (Tc)
Tipo FET
-
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
8A (Tc) (158°C)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
170 mOhm @ 8A
Vgs(th) (máx.) @ ID
-
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
720pF @ 35V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
-
Vgs (máx.)
-
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