EPC8009
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Número da peça
EPC8009
Fabricante/Marca
Series
eGaN®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Dissipação de energia (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
65V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
52pF @ 32.5V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
5V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 1837 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deEPC8009
EPC8009 Componentes eletrônicos
EPC8009 vendas
EPC8009 Fornecedor
EPC8009 Distribuidor
EPC8009 Tabela de dados
EPC8009 fotos
Preço EPC8009
EPC8009 Oferta
EPC8009 Preço mais baixo
EPC8009 Pesquisa
EPC8009 Comprando
Ficha EPC8009