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CPMF-1200-S080B
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
Número da peça
CPMF-1200-S080B
Fabricante/Marca
Series
Z-FET™
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
Die
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Dissipação de energia (máx.)
313mW (Tj)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
50A (Tj)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
90.8nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1915pF @ 800V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
20V
Vgs (máx.)
+25V, -5V
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