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C3M0065100J-TR
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Número da peça
C3M0065100J-TR
Fabricante/Marca
Series
C3M™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-7
Dissipação de energia (máx.)
113.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
35nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
660pF @ 600V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
15V
Vgs (máx.)
+15V, -4V
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