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C2M1000170J
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Número da peça
C2M1000170J
Fabricante/Marca
Series
C2M™
Status da peça
Active
Embalagem
Bulk
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-7 (Straight Leads)
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK (7-Lead)
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1700V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.1V @ 500µA (Typ)
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
13nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
200pF @ 1000V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
20V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
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