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C2M0080170P
ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
Número da peça
C2M0080170P
Fabricante/Marca
Series
C2M™
Status da peça
Active
Embalagem
-
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-4
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4L
Dissipação de energia (máx.)
277W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1700V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 28A, 20V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
120nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2250pF @ 1000V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
20V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
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