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CDBJFSC101200-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Número da peça
CDBJFSC101200-G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-2 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Corrente - Média Retificada (Io)
10A (DC)
Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se
1.7V @ 10A
Corrente - Vazamento reverso @ Vr
100µA @ 1200V
Tensão - CC reversa (Vr) (Máx.)
1200V
Velocidade
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperação reversa (trr)
0ns
Temperatura Operacional - Junção
-55°C ~ 175°C
Capacitância @ Vr, F
780pF @ 0V, 1MHz
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