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AOU2N60A
MOSFET N-CH
Número da peça
AOU2N60A
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251-3
Dissipação de energia (máx.)
57W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
4.7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
295pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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