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AON7200_101

AON7200_101

MOSFET N-CH DFN
Número da peça
AON7200_101
Series
-
Status da peça
Last Time Buy
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-VDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DFN-EP (3x3)
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
15.8A (Ta), 40A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1300pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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