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AOI1N60
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Número da peça
AOI1N60
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251A
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
9 Ohm @ 650mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
8nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
160pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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