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AOC4810
MOSFET 2N-CH 8-DFN
Número da peça
AOC4810
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-XFLGA Exposed Pad
Potência - Máx.
900mW
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-AlphaDFN (3.2x2)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
-
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (máx.) @ ID
-
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1130pF @ 15V
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