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NGTD20T120F2SWK
IGBT 1200V 20A FS2 Bare Die
Número da peça
NGTD20T120F2SWK
Categoria
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulamento
SMD
Embalagem
bagged
Número de pacotes
1
Descrição
Utilizing a durable and cost-effective field-stop II trench structure, this insulated-gate bipolar transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications and also offers low on-state voltage and lowest switching losses .
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