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SUD19P06-60-GE3

SUD19P06-60-GE3

MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252
Número da peça
SUD19P06-60-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252, (D-Pak)
Dissipação de energia (máx.)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
18.3A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1710pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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