SIR882DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Número da peça
SIR882DP-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® SO-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Dissipação de energia (máx.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
8.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
58nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1930pF @ 50V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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