SIB912DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Número da peça
SIB912DK-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Potência - Máx.
3.1W
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.5A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
3nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
95pF @ 10V
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