SIA936EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
Número da peça
SIA936EDJ-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Potência - Máx.
7.8W
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4.5A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
34 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
17nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 3696 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deSIA936EDJ-T1-GE3
SIA936EDJ-T1-GE3 Componentes eletrônicos
SIA936EDJ-T1-GE3 vendas
SIA936EDJ-T1-GE3 Fornecedor
SIA936EDJ-T1-GE3 Distribuidor
SIA936EDJ-T1-GE3 Tabela de dados
SIA936EDJ-T1-GE3 fotos
Preço SIA936EDJ-T1-GE3
SIA936EDJ-T1-GE3 Oferta
SIA936EDJ-T1-GE3 Preço mais baixo
SIA936EDJ-T1-GE3 Pesquisa
SIA936EDJ-T1-GE3 Comprando
Ficha SIA936EDJ-T1-GE3