SIA850DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Número da peça
SIA850DJ-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
LITTLE FOOT®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Dissipação de energia (máx.)
1.9W (Ta), 7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
190V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
90pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±16V
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