Compre Vishay Siliconix SI7434DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

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SI7434DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Número da peça

SI7434DP-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Series

TrenchFET®

Status da peça

Active

Embalagem

Digi-Reel®

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote/Caixa

PowerPAK® SO-8

Pacote de dispositivos do fornecedor

PowerPAK® SO-8

Dissipação de energia (máx.)

1.9W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

250V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

2.3A (Ta)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

155 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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