SI5511DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Número da peça
SI5511DC-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Digi-Reel®
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SMD, Flat Lead
Potência - Máx.
3.1W, 2.6W
Pacote de dispositivos do fornecedor
1206-8 ChipFET™
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4A, 3.6A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
7.1nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
435pF @ 15V
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