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SI4972DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Número da peça
SI4972DY-T1-E3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
3.1W, 2.5W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10.8A, 7.2A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
14.5 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
28nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1080pF @ 15V
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