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SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Número da peça
SI4936CDY-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
2.3W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
5.8A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
9nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
325pF @ 15V
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