SI4931DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOICs
Número da peça
SI4931DY-T1-E3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
1.1W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6.7A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 350µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
52nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
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