A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
SI4403BDY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC
Número da peça
SI4403BDY-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Dissipação de energia (máx.)
1.35W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
7.3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 350µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
50nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 2152 PCS
Informações de contato
Palavras-chave deSI4403BDY-T1-GE3
SI4403BDY-T1-GE3 Componentes eletrônicos
SI4403BDY-T1-GE3 vendas
SI4403BDY-T1-GE3 Fornecedor
SI4403BDY-T1-GE3 Distribuidor
SI4403BDY-T1-GE3 Tabela de dados
SI4403BDY-T1-GE3 fotos
Preço SI4403BDY-T1-GE3
SI4403BDY-T1-GE3 Oferta
SI4403BDY-T1-GE3 Preço mais baixo
SI4403BDY-T1-GE3 Pesquisa
SI4403BDY-T1-GE3 Comprando
Ficha SI4403BDY-T1-GE3