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SI4403BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC
Número da peça
SI4403BDY-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Dissipação de energia (máx.)
1.35W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
7.3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 350µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
50nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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