SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Número da peça
SI3460BDV-T1-E3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
24nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
860pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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