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SI3434DV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
Número da peça
SI3434DV-T1-E3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Dissipação de energia (máx.)
1.14W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
34 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
600mV @ 1mA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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