SI2315BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Número da peça
SI2315BDS-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
-
Dissipação de energia (máx.)
750mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
715pF @ 6V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 3270 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deSI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 Componentes eletrônicos
SI2315BDS-T1-GE3 vendas
SI2315BDS-T1-GE3 Fornecedor
SI2315BDS-T1-GE3 Distribuidor
SI2315BDS-T1-GE3 Tabela de dados
SI2315BDS-T1-GE3 fotos
Preço SI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 Oferta
SI2315BDS-T1-GE3 Preço mais baixo
SI2315BDS-T1-GE3 Pesquisa
SI2315BDS-T1-GE3 Comprando
Ficha SI2315BDS-T1-GE3