SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
Número da peça
SI2304DDS-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
6.7nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
235pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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