SI1419DH-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
Número da peça
SI1419DH-T1-E3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-70-6 (SOT-363)
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
6.2nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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