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SI1035X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC-89
Número da peça
SI1035X-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SOT-563, SOT-666
Potência - Máx.
250mW
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-89-6
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
180mA, 145mA
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
400mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
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