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2N6660-E3
MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
Número da peça
2N6660-E3
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-205AD (TO-39)
Dissipação de energia (máx.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
990mA (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
50pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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