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TPH3208LSG
MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Número da peça
TPH3208LSG
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
3-PowerDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-PQFN (8x8)
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.6V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
42nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
760pF @ 400V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
8V
Vgs (máx.)
±18V
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